NTLJD3119CTAG

onsemi

NTLJD3119CTAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN

Obsolet6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.8A, 4.5V
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds271pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieµCool™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A, 2.3A
Power - Max710mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-WDFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)