NTLGF3501NT2G

onsemi

NTLGF3501NT2G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN

Aktiv6-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.4A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds275 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieFETKY™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Max. Verlustleistung1.14W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-DFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)