NTLGD3502NT2G

onsemi

NTLGD3502NT2G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

Aktiv6-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTLGD3502
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A, 3.6A
Power - Max1.74W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-DFN (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)