NTJD2152PT1

onsemi

NTJD2152PT1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SC88

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 570mA, 4.5V
Basis-TeilenummerNTJD21
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225pF @ 8V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C775mA
Power - Max270mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-88/SC70-6/SOT-363

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)