NTHS5443T1

onsemi

NTHS5443T1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.6A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTHS54
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
Max. Verlustleistung1.3W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)