NTHS5441T1

onsemi

NTHS5441T1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTHS54
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710 pF @ 5 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseChipFET™