Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.9A, 10V |
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| Basis-Teilenummer | NTHS54 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Drain-Source-Spannung | 30 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 1.3W (Ta) |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Hersteller-Gehäuse | ChipFET™ |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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