NTHL099N60S5

onsemi

NTHL099N60S5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

NTHL099N60S5

AbgekündigtTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 13.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
SerieSuperFET® V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2.8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
Max. Verlustleistung184W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)