NTHL019N65S3H

onsemi

NTHL019N65S3H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Basis-TeilenummerNTHL019
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15993 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieSuperFET® III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 14.3mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Max. Verlustleistung625W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)