NTHD4508NT1G

onsemi

NTHD4508NT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET

Abgekündigt8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTHD4508
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max1.13W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)