NTHD4502NT1

onsemi

NTHD4502NT1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Basis-TeilenummerNTHD4502
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A
Power - Max640mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)