NTHD3100CT1

onsemi

NTHD3100CT1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTHD3100
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds165pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A, 3.2A
Power - Max1.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)