NTHD2110TT1G

onsemi

NTHD2110TT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 6.4A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1072 pF @ 6 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)