NTHD2102PT1

onsemi

NTHD2102PT1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTHD21
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds715pF @ 6.4V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A
Power - Max1.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseChipFET™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)