NTGD4167CT1G

onsemi

NTGD4167CT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTGD4167
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds295pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A, 1.9A
Power - Max900mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)