NTGD4161PT1G

onsemi

NTGD4161PT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 2.1A, 10V
Basis-TeilenummerNTGD41
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds281pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A
Power - Max600mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)