NTGD3133PT1G

onsemi

NTGD3133PT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerNTGD31
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A
Power - Max560mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-TSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)