NTD65N03R-35G

onsemi

NTD65N03R-35G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK

ObsoletTO-251-3 Stub Leads, IPakAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerNTD65
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak
Hersteller-GehäuseI-Pak