NTD4965N-1G

onsemi

NTD4965N-1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-4

ObsoletTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerNTD49
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1710 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 68A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hersteller-GehäuseI-PAK