NTD4909NA-35G

onsemi

NTD4909NA-35G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK

ObsoletTO-251-3 Stub Leads, IPakAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerNTD4909
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1314 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.8A (Ta), 41A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak
Hersteller-GehäuseI-Pak