NTD4860NA-1G

onsemi

NTD4860NA-1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK

ObsoletTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerNTD48
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1308 pF @ 12 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.4A (Ta), 65A (Tc)
Max. Verlustleistung1.28W (Ta), 50W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hersteller-GehäuseI-PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)