NTD4858NA-35G

onsemi

NTD4858NA-35G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK

ObsoletTO-251-3 Stub Leads, IPakAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 30A, 10V
Basis-TeilenummerNTD48
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1563 pF @ 12 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.2A (Ta), 73A (Tc)
Max. Verlustleistung1.3W (Ta), 54.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak
Hersteller-GehäuseI-Pak

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)