NTD4808N-35G

onsemi

NTD4808N-35G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK

ObsoletTO-251-3 Stub Leads, IPAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1538 pF @ 12 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 63A (Tc)
Max. Verlustleistung1.4W (Ta), 54.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPAK
Hersteller-GehäuseIPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)