NTD360N80S3Z

onsemi

NTD360N80S3Z

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 13A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 6.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1143 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSuperFET® III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 300µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Max. Verlustleistung96W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseD-PAK (TO-252)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)