NTD3055L170

onsemi

NTD3055L170

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 4.5A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds275 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta), 28.5W (Tj)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)