NTD23N03RT4

onsemi

NTD23N03RT4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK

ObsoletTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Max. Verlustleistung1.14W (Ta), 22.3W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)