NTBL050N65S3H

onsemi

NTBL050N65S3H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE

Abgekündigt8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 24.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4880 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 4.8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Tc)
Max. Verlustleistung305W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-Gehäuse8-HPSOF

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)