NTBGS3D5N06C

onsemi

NTBGS3D5N06C

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 24A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2430 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 122µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta), 127A (Tc)
Max. Verlustleistung3.7W (Ta), 115W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseD2PAK-7

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)