NTBGS1D5N06C

onsemi

NTBGS1D5N06C

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267

AktivTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.55mOhm @ 64A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6250 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 318µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta), 267A (Tc)
Max. Verlustleistung3.7W (Ta), 211W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäuseD2PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)