NTB5605PG

onsemi

NTB5605PG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 8.5A, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1190 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.5A (Ta)
Max. Verlustleistung88W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)