NSS60101DMTTBG

onsemi

NSS60101DMTTBG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNSS60101
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Transistor Type2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic180mV @ 100mA, 1A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 2V
Power - Max2.27W
Frequency - Transition180MHz

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-WDFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)