NSBC115EPDXV6T1G

onsemi

NSBC115EPDXV6T1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SS SOT563 RSTR XSTR TR

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNSBC115
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)100kOhms
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Power - Max357mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563

Umwelt

GradeAutomotive
QualificationAEC-Q101