NHPM120T3G

onsemi

NHPM120T3G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE

ObsoletDO-216AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNHPM120
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr500 nA @ 200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDO-216AA
Hersteller-GehäusePowermite

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C