NDM3000

onsemi

NDM3000

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC

Obsolet16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3A, 10V
Basis-TeilenummerNDM300
Konfiguration3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds375pF @ 10V, 360pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max1.4W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse16-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)