NDB5060L

onsemi

NDB5060L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds840 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc)
Max. Verlustleistung68W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C~175°C(TJ)