NCV5707BDR2G

onsemi

NCV5707BDR2G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
EingangstypInverting
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)9.2ns, 7.9ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)7.8A, 6.8A
Logic Voltage - VIL, VIH0.75V, 4.3V
Versorgungsspannung7V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TA)