NCV51511PDR2G

onsemi

NCV51511PDR2G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNCV51511
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)6ns, 4ns
SerieAutomotive, AEC-Q100

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)3A, 6A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)100 V
Logic Voltage - VIL, VIH2V, 1.8V
Versorgungsspannung8V ~ 16V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-SOIC-EP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)