NCP81085MTTXG

onsemi

NCP81085MTTXG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

HIGH PERFORMANCE DUAL MOSFET GAT

Aktiv9-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNCP81085
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)8ns, 7ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.7V
Versorgungsspannung8.5V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case9-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse9-WDFN (4x5)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~140°C(TJ)