NCP81080MNTBG

onsemi

NCP81080MNTBG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

Aktiv8-VFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNCP81080
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypTTL
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)19ns, 17ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)500mA, 800mA
Logic Voltage - VIL, VIH1.2V, 1.8V
Versorgungsspannung5.5V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 140°C (TJ)