NCP81075MTTXG

onsemi

NCP81075MTTXG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10WDFN

Aktiv10-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNCP81075
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)8ns, 7ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.7V
Versorgungsspannung8.5V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case10-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse10-WDFN (4x4)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 140°C (TJ)