NCP81075DR2G

onsemi

NCP81075DR2G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNCP81075
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)8ns, 7ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.7V
Versorgungsspannung8.5V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~140°C(TJ)