NCP5111DR2G

onsemi

NCP5111DR2G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerNCP5111
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)85ns, 35ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)250mA, 500mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.3V
Versorgungsspannung10V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)