MVSF2N02ELT1G

onsemi

MVSF2N02ELT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3

AbgekündigtTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 5 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
Max. Verlustleistung1.25W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)