MVGSF1N03LT1G

onsemi

MVGSF1N03LT1G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23

AbgekündigtTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1.2A, 10V
Basis-TeilenummerMVGSF1
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 5 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Max. Verlustleistung420mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)