MVB50P03HDLT4G

onsemi

MVB50P03HDLT4G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 25A, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4900 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Max. Verlustleistung125W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)