MTD6N15T4

onsemi

MTD6N15T4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 6A DPAK

ObsoletTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 3A, 10V
Basis-TeilenummerMTD6N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK