Allgemein
| Hersteller | onsemi |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Aktiv |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP Complementary |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
Mechanisch
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 14-PDIP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|