Allgemein
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Serie | * |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Serie | * |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 800mW (Ta) |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Hersteller-Gehäuse | SOT-223 |
| Betriebstemperatur | -65°C~150°C(TJ) |
|---|