MLD1N06CLT4G

onsemi

MLD1N06CLT4G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs750mOhm @ 1A, 5V
Basis-TeilenummerMLD1N
FET TypeN-Channel
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSMARTDISCRETES™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A
Max. Verlustleistung40W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-50°C ~ 150°C (TJ)