Allgemein
| Basis-Teilenummer | MJD30 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 400mA, 4A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 20 W |
| Frequency - Transition | 2MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Hersteller-Gehäuse | DPAK |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|